双等离子体的组合可以用于获得二维等离子体阵列。单个源以及2个,4个和8个平行排列的等离子体可用于等离子体辅助表面处理,如表面活化,蚀刻和沉积。双等离子体是不使用磁场的直接微波等离子体源。在简化的描述中......
双等离子体的组合可以用于获得二维等离子体阵列。单个源以及2个,4个和8个平行排列的等离子体可用于等离子体辅助表面处理,如表面活化,蚀刻和沉积。双等离子体是不使用磁场的直接微波等离子体源。在简化的描述中,它类似于由微波激发的反向发光管,双等离子体通常在约1000Pa至10Pa的低压下操作。由两个磁控管产生的具有2.45GHz频率的微波在两端被馈送到等离子体线中。在外部低压状态下放电点火,随着微波功率的增加,等离子体从沿着管的两端增长,并且形成轴向均匀的等离子体。
低压微波等离子体源
可扩展和紧凑的设计
大面积应用
高等离子体密度
高效率
低伤害
轻松适应定制系统
相关规格参数
频率:915MHz / 2450MHz / 5800MHz
HF-输入功率:典型2 kW/ m @ 1 mbar
波导:同轴8/26
过程压力:典型值0.1 mbar - 1 mbar
等离子体密度:在2450MHz时高达1012/ cm3
典型的过程气体:ArO 2,N 2 H 2,NH 3,SiH 4,HMDSO
电子温度:~2eV
同质性:优于5%
材料:
腔室:铝
气体喷淋:铝
等离子体源:石英,AL2O3
冷却:水/空气合并
连接器:
同轴8/26(微波)
接头套管(水,空气,气体)
尺寸:客户特定
MW电源元件
MUEGGE短路活塞MW2009D-260ED
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